END

STACKSIZE 0x100

上面的例子将堆栈区域存放的地址为0x20FF-0x2000,初始的堆栈指针指向栈顶地址0x20FF。

相反，如果在PLACEMENT-END部分没有声明“SSTACK INTO RAM”，则堆栈被分配在RAM区域中已分配空间的后面。请参见例6。

例6

SEGMENTS

……

RAM = READ_WRITE DATA_NEAR 0x2000 TO 0x3FFF;

……

END

PLACEMENT

……

PAGED_RAM, DEFAULT_RAM INTO RAM;

……

END

STACKSIZE 0x100

在这个例子中，如果RAM区域中已经分配的变量占用了4个字节（从0x2000到0x2003），则堆栈放在这四个字节的后面，从0x2103到0x2004，

初始的堆栈指针指向0x2103。

STACKYOP命令方式：

当使用STACKTOP命令方式时，如果在PLACEMENT-END部分声明了“SSTACK INTO RAM”，同样，堆栈区就被放在RAM区域的起始部分，

初始的栈顶则由STACKTOP指定。若没有相应的声明，则初始的栈顶由STACKTOP指定，而堆栈的大小则根据处理器的不同由编译器自行设定，

其大小足够装下处理器的PC寄存器的值。

飞思卡尔 HCS12(x) memory map解说之二

【整理者】61ic.com 【提供者】whut_wj

【详细说明】飞思卡尔 HCS12(x) memory map解说之二 接着上次的说吧。 首先问一个问题：

中断函数为什么要加：#pragma CODE_SEG __NEAR_SEG NON_BANKED 这个声明？这个声明是干什么用的？

这要还是要从FLASH分页和非分页的区别说起。

下面详细说一说，FLASH里非分页和分页的使用。 要明白一点，分页是不可见的，要用的时候PPAGE参与寻 址。

1 FLASH里非分页工作机制

FLASH一共为128K，一页是16K，那么应该有8页才是，但是实际只有6个分页。有2个非分页放在4000-7FFF

，和C000-FFFF两个逻辑地址窗里。那么，当程序的寻址在64K之内（2^16=64K,16位机的寻址能力是64K）时，

就不用分页了，直接使用那两个非分页的数据。实际上，3E页 3F页是可见的，其实他们就是那2个非分页的映

射。因此，使用非分页FLASH，就不须设置PPAGE寄存器，直接使用逻辑地址即可。

见图1。

这点我们可以从以下看出： /* non-paged FLASHs */

ROM_4000 = READ_ONLY 0x4000 TO 0x7FFF; ROM_C000 = READ_ONLY 0xC000 TO 0xFEFF; PLACEMENT

NON_BANKED, INTO ROM_C000/*, ROM_4000*/;

很直观地看出，把这两个可以直接使用逻辑地址的页面设为NON_BANKED, 那么中断函数放在NON_BANKED里

，就可以把函数放在64K的寻址程序段中。这么一来，进中断就方便多了，效率也高很多。这就是对本文开篇 的解释。

大家记住这一点，在XS128里也有类似的一招。 2 FLASH里分页工作机制

好了，上面是3E页 3F页是可见的分页区，还有3D 3C 3B 3A 39 38不可见的分页区。当你的程序要寻址

64K以外的空间，即不是是可见的3E页 3F页时，就要涉及分页了。

PPAGE是MMC模块的东西，我搞了个图片大家看看，如图2。每一页在DG128中的逻辑地址都是由PPAGE中的

页号和重叠窗口内地址组成的24位绝对地址。通过设置寄存器PPAGE，可以使用全部的FLASH空间。例如：程序

要将数据存入$3D页，设置PPAGE的值为$3D，那么逻辑地址范围说是$3D8000-$3DBFFF。有一点要注意：为了分页描述的完整性，可以如下理解：对于3E页 3F页有两个逻辑地址映射到物理地址。拿3E页来说，有$004000-$007FFF和$3E8000-$3EBFFF。

对于程序是如何寻址，这个是内核的东西，大家可以看看CPU这个文档。 通过分析，相信大家知道地址这个东西是非常有用的吧。下次说说XS128，XS128的RAM FLASH EEPROM都可

以分页。更高级，更主动，编程弹性更大。

图1