A 分流， B 降压， C 过电压保护， D 过电流保护。
9、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。 A 关断过电压， B 交流侧操作过电压， C 交流侧浪涌。 10、晶闸管变流装置的功率因数比较（B ）。A 高， B 低， C 好。
11、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，变流器输出电流是（B）的。A 连续， B 断续， C 不变。
12、脉冲变压器传递的是（C ）电压。A 直流， B 正弦波， C 脉冲波。 13、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。 A 有效值 B 最大赛值 C 平均值
14、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（A）晶闸管。 A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。 15、三相全控桥整流装置中一共用了（B）晶闸管。 A 三只， B 六只， C 九只。
16、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。 A 一个， B 两个， C 三个， D 四个。
17、若可控整流电路的功率大于4kW，宜采用（C ）整流电路。 A 单相半波可控 B 单相全波可控 C 三相可控
18、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（B）。 A 三相的大， B 单相的大， C一样大。
1、双向晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（A）来表示的。 A 有效值 B 最大值 C 平均值
2、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。 A 一个， B 两个， C 三个， D 四个。 3、双向晶闸管的四种触发方式中，灵敏度最低的是（C）。 A、 Ⅰ+， B、 Ⅰ-， C、 Ⅲ+， D、 Ⅲ-。 1、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）。 GTR B、 MOSFET C、、IGBT
2、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最小的是（ ）。 A、GTR B、MOSFET C、IGBT
3、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（ ）。 A、GTR B、 MOSFET C、、IGBT
4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是（ ）。 A、GTO B、GTR C、IGBT。
5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）、最慢的是（ ）。 A、GTO B、GTR C、MOSFET
6、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。 （A ） A、GTR B、 MOSFET C、、IGBT。
7、下列电力电子器件中属于全控型器件的是（）。 A、KP50-7 B、3DD15C C、ZP100-10
1、下列不可以实现逆变的电路是（）式晶闸管电路。 A 单相全波， B 三相半控桥， C三相全控桥 2、变流器必须工作在α（）区域，才能进行逆变。
A ＞90°， B ＞0°， C ＜90°， D ＝0°。 3、为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（）。 A 5°， B 15°， C 20°， D 30°。 4、串联谐振式逆变器属于（ ）逆变器。 A 电压型 B 电流型 C 电阻型 5、并联谐振式逆变器属于（ ）逆变器。 A 电压型 B 电流型 C 电阻型 1、串联谐振式逆变器属于（ ）逆变器。 A 电压型 B 电流型 C 电阻型 2、并联谐振式逆变器属于（ ）逆变器。
A 电压型 B 电流型 C 电阻型1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度。
A、180°， B、60°， c、360°， D、120°
第 50 页
A 2、α为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，
3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为 A 。
A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 A 。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。
1、α为 B 度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。 A、0度。B、60度。C、30度。D、120度。
2、晶闸管触发电路中，若使控制电压UC=0，改变 C 的大小，使触发角α=90o，可使直流电机负载电压Ud=0。达到调整移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。 A、 同步电压， B、控制电压， C、偏移调正电压。 3、能够实现有源逆变的电路为 A 。
A、三相半波可控整流电路， B、三相半控整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相桥式全控整流电路。
4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（ A D）
A、700V B、750V C、800V D、850V
5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D ) A、90° B、120° C、150° D、180°
第 51 页