离子注入技术的优点

离子注入与扩散工艺比较

扩散离子注入高温，硬遮蔽层低温，光刻胶作为遮蔽层等向性掺杂轮廓非等向性掺杂轮廓不能独立控制掺杂浓度和结深可以独立控制掺杂浓度和结深批量工艺批量及单晶圆工艺9

离子注入和扩散掺杂过程

离子注入和扩散掺杂过程的比较

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离子注入技术的应用

应用离子掺杂N型：P, As, Sb；P型：B预非晶化Si, Ge埋氧层O多晶硅阻挡层N11

磷元素参数列表

名称磷原子符号P原子序数15原子量30.973,762固态密度1.823 g/cm3摩尔体积17.02 cm3音速N/A电阻系数10μΩ·cm折射率1.001,212反射率N/A熔点44.2 ℃沸点277 ℃热传导系数0.236 W/(m·K)热膨胀系数N/A主要应用扩散、离子注入、外延生长和多晶硅沉积N型掺杂物硅玻璃(PSG, BPSG)化学气相沉积掺杂物主要来源红磷, PH3, POCl312