1mc?1?12??? ??3?m1mt??第五章习题
1. 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为10cm计算空穴的复合率。
2. 用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为?。
①写出光照下过剩载流子所满足的方程； ②求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。
3. 有一块n型硅样品，寿命是1us，无光照时电阻率是10??cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm-3?s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？
4. 一块半导体材料的寿命?=10us，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？
5. n型硅中，掺杂浓度ND=1016cm-3, 光注入的非平衡载流子浓度?n=?p=1014cm-3。计算无光照和有光照的电导率。
6. 画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。
7. 掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子?n=?p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。
8. 在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合-产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？
9. 把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命?=?n+?p。
10. 一块n 型硅内掺有1016cm-3的金原子 ，试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅内也掺有10cm的金原子，它在小注入时的寿命又是多少？ 11. 在下述条件下，是否有载流子的净复合或者净产生：
16
-3
13
-3,
空穴的寿命为100us。
21
①在载流子完全耗尽（即n, p都大大小于ni）半导体区域。
②在只有少数载流子别耗尽（例如，pn<
12. 在掺杂浓度N=10cm，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（Et=Ei）。
13. 室温下，p型半导体中的电子寿命为?=350us，电子的迁移率un=3600cm-2/(V?s)。试求电子的扩散长度。
14. 设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为1015cm-3,up=400cm2/(V?s)。试计算空穴扩散电流密度。
15. 在电阻率为1??cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度Nt=1015cm-3,由边界稳定注入的电子浓度（?n）0=1010cm-3,试求边界 处电子扩散电流。
16. 一块电阻率为3??cm的n型硅样品，空穴寿命?p=5us,在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（?p）=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？
17. 光照1??cm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子-空穴对产生率为1017cm-3?s-1。设样品的寿命为10us ，表面符合速度为100cm/s。试计算：
①单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。
②单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。 18. 一块掺杂施主浓度为2?1016cm-3的硅片，在920oC下掺金到饱和浓度，然后经氧化等处理，最后此硅片的表面复合中心1010cm-2。
①计算体寿命，扩散长度和表面复合速度。
②如果用光照射硅片并被样品均匀吸收，电子-空穴对的产生率是1017cm-3?s-1，试求表面的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少？
D
16
-3
22
第六章习题
1. 若ND=5?1015cm-3,NA=1017cm-3,求室温下Ge突变pn结的VD。
2. 试分析小注入时，电子（空穴）在五个区域中的运动情况（分析漂移与扩散的方向及相对应的大小）。
中扩势扩中 - +
性散垒散性
取 区 区 区 区
3. 在方向情况下做上题。
4. 证明方向饱和电流公式（6-35）可改写为
Js=
b?2i?1?b?2k0T?11??q??pLp??Ln?? ??式中b=un/up,?n和?p分别为n型和p型半导体电导率，?i为本征半导体率。 5. 一硅突变pn结，n区的?n=5??cm，?p=1us；p区的?p=0.1??cm，?n=5us,计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度，以及在正向电压0.3V时流过pn结的电流密度。
6. 条件与上题相同，计算下列电压下的势垒区宽度和单位面积上的电容：①-10V；②0V；③0.3V。
7. 计算当温度从300K增加到400K时，硅pn结反向电流增加的倍数。 8. 设硅的性缓变结的杂质浓度梯度为5?1023cm-4,VD为0.7V，求反向电压为8V时的势垒区宽度。
9. 已知突变结两边杂质浓度为NA=10cm,ND=10cm,①求势垒高度和势垒宽
16
-3
20
-3
23
度；②画出E(x)、V（x)图。
10. 已知电荷分布?（x）为：①?（x）=0；②?（x）=c;③?（x）=qax(x在0?d之间)，分别求电场强度E(x)及电位V（x)，并作图。
11. 分别计算硅n + p结在正向电压为0.6V、反向电压为40V时的势垒区宽度。已知NA=5?1017cm-3,VD=0.8V。
12. 分别计算硅n + p结在平衡和反向电压45V时的最大电场强度。已知N3D=5?1015cm,Vd=0.7V。
13. 高阻区杂质浓度为N16-35
D=10cm,Ec=4?10V/cm,求击穿电压。
14. 设隧道长度?x=40nm，求硅、锗、砷化镓在室温下电子的隧道概率。
24