三、配置说明

Si4463的参数配置主要采用WDS软件进行配置，设置好相应的内容后生成一个参数宏定义的头文件，在程序中只需将该头文件中的参数以相应的命令写入射频芯片即可完成配置。

第一步 选择模拟方式 第三步 选择配置模式

1、频率和功率

第二步 选择芯片

第四步 配置界面

图中标注的几处为必须配置的参数，具体参数芯片数据手册。

2、RF参数

接收端的调制方式、速率、频偏以及带宽必须与发射端匹配，否则无法接收

3、数据包参数

数据包主要有引导码、同步字、数据域以及CRC构成，每项都可选可去，为保证数据可靠接收，同时减少不必要的数据接收，引导码和同步字就十分必要，这两部分中的内容可以自由配置，此处就不细述，具体可参见芯片数据手册以及WDS使用指南。数据域有几种模式，可单域也可多域，一般选用变长发送模式时采用双域，前一域帧长，后一域数据。CRC模式也可采用分域校验和整体校验，一般选用整体，最后两个直接为CRC结果校验由硬件完成，校验通过标志可通过配置设定在这两个直接中任意直接的高位或低位。

4、中断配置

芯片有一个中断引脚，可对应3个中断寄存器，共计22中不同中断状态。在正常发送、接收中一般只用以下3个中断：发送完成、接收、CRC异常，其余中断对应的具体说明可参见芯片用户指导。

5、GPIO和快速寄存器配置

Si4463有4个GPIO引脚外加一个NIRQ和SDO引脚可进行自由配置，具体功能参见用户指导，一般会选用两个引脚作为射频开关的控制引脚，如下图：

快速寄存器主要用于快速读出芯片的某些状态或寄存器值，相对于直接操作普通寄存器，速度要更快，更节省MCU资源，具体配置可根据实际使用进行配置，如RSSI、芯片工作状态等都是比较常用的。

四、问题总结 1、发送功率与功耗

Si4463的发送功率可调，功率越大功耗自然越大，尤其是超过15dBm后发射功率每增加一点，功耗会增加很多，下图是理论参数（横坐标是电流）：

实际使用中发现模块功率很难达到20dBm，经过测试排查，发现发射功率受供电电压影响也较大，下图是最大发射功率与供电电压之间的关系：