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(1) 当电压VCE维持常数，而集电极电流IC加倍时，基区中靠近发射结一侧的少子

浓度nB(0)将加倍、减半、还是几乎维持不变？基区宽度WB将加倍、减半、还是几乎维持不变？

(2) 由于上述参数的变化，参数Rbb'、Rπ 、gm 、Cπ 、Cμ将加倍、减半、还是几乎维

持不变？

(3) 当电流IC维持常数，而集电结反向电压的值增加，使基区宽度WB减小一半时，

nB(0)将加倍、减半还是几乎维持不变？

第五章 绝缘栅场效应晶体管

填空题

1、N沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟

道中的载流子是（ ）。

2、P沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟

道中的载流子是（ ）。

3、当VGS=VT时，栅下的硅表面发生（ ），形成连通（ ）区和（ ）

区的导电沟道，在VDS的作用下产生漏极电流。

4、N沟道MOSFET中，VGS越大，则沟道中的电子就越（ ），沟道电阻就越（ ），

漏极电流就越（ ）。

5、在N沟道MOSFET中，VT>0的称为增强型，当VGS=0时MOSFET处于（ ）

状态；VT<0的称为耗尽型，当VGS=0时MOSFET处于（ ）状态。

6、由于栅氧化层中通常带（ ）电荷，所以（ ）型区比（ ）型区更容易发

生反型。

7、要提高N沟道MOSFET的阈电压VT ，应使衬底掺杂浓度nA（ ），使栅氧

化层厚度Tox（ ）。

8、N沟道MOSFET饱和漏源电压VDsat的表达式是（ ）。

当VDS>=VDsat时，MOSFET进入（ ）区，漏极电流随VDS的增加而（ ）。 9、由于电子的迁移率μn比空穴的迁移率μ（，所以在其它条件相同时，（ ）p ）

沟道MOSFET的IDsat比（ ）沟道MOSFET的大。为了使两种MOSFET的IDsat相同，应当使N沟道MOSFET的沟道宽度（ ）P沟道MOSFET的。

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10、当N沟道MOSFET的VGS

导电。

11、对于一般的MOSFET，当沟道长度加倍，而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都

不变时，其下列参数发生什么变化：V（、IDsat（ ）、Ron（ ）、T ）gm（ ）。

12、由于源、漏区的掺杂浓度（ ）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN

结的耗尽区主要向（ ）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（ ）。 13、MOSFET的跨导gm的定义是（ ），它反映了（ ）

对（ ）的控制能力。 14、为提高跨导gm的截止角频率ωgm，应当（ ）μ，（ ）L，（ ）

VGS。

15、阈电压VT的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，VT变（ ）。

16、在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（ ），而在

短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（ ）。

17、为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一

半时，其沟道宽度应（ ），栅氧化层厚度应（ ），源、漏区结深应（ ），衬底掺杂浓度应（ ）。

问答与计算题

1、画出MOSFET的结构图和输出特性曲线图，并简要叙述MOSFET的工作原理。

2、什么是MOSFET的阈电压VT？写出VT的表达式，并讨论影响VT的各种因素。

3、什么是MOSFET的衬底偏置效应？

4、什么是有效沟道长度调制效应？如何抑制有效沟道长度调制效应？

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5、什么是MOSFET的跨导gm？写出gm的表达式，并讨论提高gm的措施。

6、提高MOSFET的最高工作频率fT的措施是什么？

7、什么是MOSFET的短沟道效应？

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