Genesis基本操作流程1 下载本文

Genesis基本操作流程 调入文件:

1、 Actions→Input,选择或者填写path,job(工号), step(定为cad)几个项目后identify→translate,查看报告report…,有异常情况,需要查找原因,如调整读入格式或设定光圈参数;无异常情况时,editor进入编辑界面。

4、 进入job matrix排列各层顺序、定义各层资料属性及命名,命名规则如下(后处理程序的需要): (其中[n]为从top开始为1,然后是2,3,4…,如此类推对应的层号代替) Top side of silkscreen: to Component side of solder mask : ts

Component side :cs

Top signal layer of inner layer : sig[n]t

Bottom signal layer of inner layer :sig[n]b (need mirror) Top power ground layer of inner layer : pln[n]t

Bottom power ground layer of inner layer :pln[n]b (need mirror) Solder side :ss

Solder side of solder mask :bs Bottom side of silkscreen : bo Drill: drl

2nd drill :drl2 Outline :rout

无用层层名可不改,层名规定好后可直接运行Actions---re-arrange rows命令,各层资料属性及叠层顺序就可自动排好。

5、 下面各步骤中,选择所需的相应erf模式,按照设定的参数操作。

a.定义profile:select outline on rout layer,edit

→create→profile(定义操作范围)

b.定义基准点:step→datum point(选定基准点)options→snap→origin(选定相对零点)

存盘,另建一个step;命名为net,在net中继续操作。(net主要为保证以后的网络比较,cad保证以后对原装,cam是正式的做板step。)

c.焊盘和钻孔对位:dfm→repair→pad snapping(对正钻孔、焊盘) dfm→cleanup→construct pads(auto.) d.线转盘:对top、bottom mask层进行转换(须先看其是否比线路层大很多,如是,则需先适当缩小edit→resize→global)。 dfm→cleanup→construct pads(ref.)以mask为参考层,对top、bottom层线路进行转换。 e.设置smd属性:dfm→cleanup→set smd attribute(保护贴装盘不被削盘,缩盘)(bga焊盘要手工加上smd属性) 存盘,另建一个step;命名为cam,在cam中继续操作。

删除外层非金属化孔焊盘、重盘、内层孤立盘、重盘等:dfm→nfp removal.(选择不同参数进行不同操作)

6、 删除板外不需要的资料,并删除相应层边框,阻焊,负片效果内层加边框。selec

t outside profile datum and delete,or M3 on layer→clip area.

7、 做钻孔:M3(on drilllayer)→drill tool mana-ger选择layer(drl),user parameters, 点亮各刀号,依据资料判断和设定tool type为via、pth、npth, update则可以相应的补偿孔径。手工调整孔径在finish size一栏。 8、检查分析:analysis 可以使用8或9中所述方法。

General analysis (分步检查):Analysis→Drill checks, Analysis→Signal layer checks , Analysis→Power/Ground checks , Analysis→Solder mask checks, Analysis→Silk screen checks浏览检查结果,是否有不符合参数设定的地方。 9、自动修改:

填尖角和缝隙:dfm→sliver→sliver&acute angles 填网格(小于4mil):dfm→repair→pinhole elimination 优化内层负片:dfm→optimization→power/ground opt...;

此处注意几点:a:花焊盘应先转为genesis内认的形式;b:方形焊盘及其他特殊的焊盘手工修改;c:如npth孔的隔离盘不够大,亦需手工修改。 优化线路层(可以先内层后外层): dfm→optimization→signal layer opt...; 优化阻焊:dfm→optimization→solder mask opt; 优化字符:dfm→optimization→silk screen opt。 10、做完各项optimization后查看结果,genesis系统无法完成的地方需要手工去逐项修改,再执行8或9中的analysis直至pass。 save job。 11、蚀刻补偿:dfm→yield improvement→etchcompen-sate...依据铜箔厚度1/2oz(18um)或1oz(35um),按设定参数进行蚀刻补偿。

12、图形对原装:M3→compare设定层与cad step相应的层进行比较。(图形比较)

13.网络比较:netlist compare:actions→net-list analyzer 界面上半部分select compare Job:eXXXXX, Step:cad, type:current, click Recalc, switch Type:current to reference, and click Update, and select Set to CUR netlist.

界面下半部分type:current , click Recalc and click compare.

比较网络无问题时,shorted,broken,missing,

extra四个按钮都是绿色显示,pass;有异常时,其中一个或几个红色显示,需要检查产生的原因。

14、单元检查ok后,save,开始新建一个pnl的step;开始作拼板。 15.拼完板,加板边标记。

16.Autodrill—manager优化输出钻孔,Autorout—manager优化输出外形。 输入相应参数,即可自动输出钻孔和光绘文件。

15---16步可以用script自动完成。