掌握拉普拉斯变换的正、反变换计算方法； 掌握用拉普拉斯变换分析和表征LTI系统； 理解系统函数的代数属性与方框图表示； 了解单边拉普拉斯变换。 5.离散信号与系统的复频域分析（20%） 掌握 Z变换及其收敛域的性质； 掌握Z变换的正、反变换计算方法； 掌握用Z变换分析与表征LTI系统； 理解系统函数的代数属性与与方框图表示； 了解单边Z变换。 三、题型及分值 题型为计算、证明、简答、作图等。 考试科目 考试时间 一、总体要求 强化知识面广、基础知识扎实，基本概念、基本方法、基本工艺了解并熟悉，对本领域设计的科学问题清楚。 二、内容 1. 绪论部分 主要了解信息技术的三大变革，信息技术发展的趋势，信息技术发展与材料研究的关系，由信息技术的发展带来产业界的变化等； 2. 半导体信息材料部分 1) 半导体应用的衬底材料与种类，金属电极和合金电极材料，高k与低k材料，互连材料，钝化层材料，切磨抛工艺及材料； 2) 半导体光电材料，发光二极管材料、原理及应用，半导体激光器材料、原理及应用； 3) 有机光电材料，有机发光二极管原理，有机显示器件等； 3. 信息功能陶瓷材料及应用部分 1) 电子材料与元器件，电阻、电容器的基本概念、工艺； 2) 压电陶瓷器件、原理、材料及应用； 3) 铁电材料及铁电薄膜在器件中的应用，微波陶瓷材料及其应用，PZT材料及其应用的一般概念； 4) 铁氧体材料及电感、变压器得一般原理、材料、工艺等； 5) 传感器的材料，一般传感器的设计及结构、原理等。 4. 信息存储材料及其应用部分 1) 磁记录材料的发展历程，材料、存储密度和磁记录的基本原理，磁头、磁带、软盘、U盘、硬盘的基本原理和结构； 2) 磁光存储的基本原理、材料； 3) 半导体SRAM, DRAM, FLASH的优缺点； 4) FRAM及MRAM存储器的基本原理、材料及应用。 5. 综合思考题部分 1) 以电容器为背景联系自然界的现象解释物理原因； 2) 联系未来信息技术的发展，即由电子信息－光子信息－生物信息的发展趋势，讨论未来将是什么信息革命？它将会为我们人类带来什么影响； 3) 分析、说明、计算类题型，比如光纤开关、压电信息转换开关等； 4) 工艺流程类题型，比如液相外延、汽相外延工艺，RF溅射工艺、电子陶瓷工艺等。 三、题型及分值 选择题（60分） 问答题（30分） 论述题（10分） 3030信息材料与器件基础 180分钟 考试形式 考试总分 笔试（闭卷） 100分