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工业硅的纯度一般为９５％～９９％，所含的杂质主要为Ｆｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍg等。由工业硅制成硅的卤化物（如三氯硅烷，四氯化硅）通过还原剂还原成为元素硅，最后长成棒状（或针状、块状）多晶硅。习惯上把这种还原沉积出的高纯硅棒叫作多晶硅。

多晶硅经过区熔法（Ｆｚ）和坩埚直拉法（ＣＧ）制成单晶硅棒。随着太阳电池的应用从空间扩展到地面，电池生产成本成为推广应用的最大障碍。硅片质量直接影响成品电池的性能，它的价格在很大程度上决定了成品电池的成本。质量和价格是必须要重点考虑的因素。

降低太阳电池的成本决定于硅材料成本的降低。而硅材料成本的关键在于材料的制造方法。为了能与其它能源竞争，一般要和晶硅太阳电池的转换效率大于１０％。达到这一要求实际上并不需要使用半导体级硅。人们研制、生产太阳电池级硅（ＳＯＧ——Ｓｉ）。我们知道一些金属（Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉ和Ｖ）只要很低的浓度就能降低电池的性能，而另一些杂质即便浓度超过１０１５／ｃｍ２仍不成问题，此浓度大约比半导体级硅的杂质浓度高１００倍，这样就可以选用成本较低的工艺来生产纯度稍低的太阳电池级硅，而仍旧能制造性能比较好的电池。为了进一步降低电池成本，人们还在研究单晶硅。如图3.２和图3.３

图3.2 蹼状硅生产设备示意图

图3.3 柱形晶粒的多晶硅太阳电池

除了价格、成本和来源难易外，根据不同用途，可以从下几方面选用硅材料

１、导电类型：从国内外硅太阳电池生产的情况来看，多数采用Ｐ型硅材料，这是基于ｎ／ｐ型电池在空间的应用及其传统的生产历史。也由于该种材料易得。

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２、电阻率：由硅太阳电池的原理知道，在一定范围内，电池的开路电压随着硅基体电阻率的下降而增加，材料电阻率较低时，能得到较高的开路电压，而路电流则略低，总的转换效率较高。所以，地面应用倾向于０.５～３.０?ｃｍ的材料。太低的电阻率。反而使开路电压降低，并且导致填充因子下降。

３、晶向、位错、寿命

太阳电池较多选用（１１１）和（１００）晶向生长的单晶。由于绒面电池相对有较高的吸光性能，较多采用（１００）间的硅衬底材料。在不要求太阳电池有很高转换效率的场合，位错密度和电子寿命不作严格要求。

2.2 单体电池的制造

硅单体太阳电池的主要制造工艺主要包包括表面准备、扩散制结、制作电极和减反射膜几道工序，下面分别作一叙述：

2.2.1硅片的表面处理

硅片的表面准备是制造硅太阳电池的第一步主要工艺，它包括硅片的化学清洗和表面腐蚀。

2.2.1.1硅片的化学处理

通常，由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质大致可归纳为三类：1、油脂、松香、蜡等有机物质。2、金属、金属离子及各种无机化合物。3、尘埃以及其它可溶性物质，通过一些化学清洗剂可以达到去污的目的。如硫酸、王水、酸性和碱性过氧化氢溶液等。

2.2.1.2硅片的表面腐蚀

硅片经过初步清洗去污后，要进行表面腐蚀，这是由于机械切片后，在硅片表面留下的平均为30～50?m厚的损伤层，腐蚀液有酸性和碱性两类。

1、酸性腐蚀法

硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用，其溶液配比为浓硝酸：氢氟酸=10：1到2：1。硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅，其反应为

3Si+4HNO3===3SiO2+2HO2+4NO?

而氢氟酸使在硅表面形成的二氧化硅不断溶解，使反应不断进行，其反应为

SiO2?6HF?H2?SiF6??2H2O

生成的络合物六氟硅酸溶于水，通过调整硝酸和氢氟酸的比例，溶液的温度可控制腐

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蚀速度，如在腐蚀液中加入醋酸作缓冲剂，可使硅片表面光亮。一般酸性腐蚀液的配比为

硝酸：氢氟酸：醋酸==5：3：3或5：1：1

2、碱性腐蚀

硅可与氢氧化钠、氢氧化钾等碱的溶液起作用，生成硅酸盐并放出氢气，化学反应

为：Si+2NaOH+H2O===Na2SiO3+2H2?

出于经济上的考虑，通常用较廉价的NaOH溶液，图3.4为100?C下不同浓度的NaOH溶液对（100）晶向硅片的腐蚀速度。

图3.4 硅片在不同浓度NaOH溶液中的腐蚀速率

碱腐蚀的硅片表面虽然没有酸腐蚀光亮平整，但制成的电池性能完全相同，目前，国内外在硅太阳电池生产中的应用表明，碱腐蚀液由于成本较低，对环境污染较小，是较理想的硅表面腐蚀液，另外碱腐蚀还可以用于硅片的减薄技术，制造薄型硅太阳电池。

2.2.1.3碱面硅表面的制备

太阳电池主要进展之一是应用了绒面硅片，绒面状的硅表面是利用硅的各向异性腐蚀，在硅表面形成无数的四面方锥体，图3.5为扫描电子显微镜观察到的绒面硅表面。

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图3.5 在扫描电镜下绒面电池表面的外貌

高10?m的峰是方形底面金字塔的顶。这些金字塔的

侧面是硅晶体结构中相交的(111)面

由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，其反射率很低，故绒面电池也称为黑电池或无反射电池。

各向异性腐蚀即腐蚀速度随单晶的不同结晶方向而变化，一般说来，晶面间的共价健密度越高，也就越难腐蚀。对于硅而言，如选择合适的腐蚀液和腐蚀温度，（100）面可比（111）面腐蚀速度大数十倍以上。因此，（100）硅片的各向异性腐蚀最终导致在表面产生许多密布的表面为（111）面的四面方锥体，由于腐蚀过程的随机性，方锥体的大小不等，以控制在3～6?m为宜。

硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，如氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化锂，联氨和乙二胺等，商品化电池的生产中，通常使用廉价的氢氧化钠稀溶液（浓度为1～2%）来制备绒面硅，腐蚀温度为80?C左右，为了获得均匀的绒面，还应在溶液中添加醇类（如无水乙醇或异丙醇等）作为络合剂，加快硅的腐蚀。

2.2.2扩散制结

制结过程是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层，它和制结前的表面处理均是电池制造过程中的关键工序。制结方法有热扩散，离子注入，外延，激光及高频电注入法等。本节主要介绍热扩散法。

扩散是物质分子或原子运动引起的一种自然现象，热扩散制p—n结法为用加热方法使V族杂质掺入P型或Ⅲ族杂质掺入n型硅。硅太阳电池中最常用的V族杂质元素为磷，Ⅲ族杂质元素为硼。

对扩散的要求是获得适合于太阳电池p—n结需要的结深和扩散层方块电阻，浅结死层小，电池短波响应好，而浅结引起串联电阻增加，只有提高栅电极的密度，才能有效提高电池的填充因子，这样，增加了工艺难度，结深太深，死层比较明显，如果扩散浓度太大，则引起重掺杂效应，使电池开路电压和短路电流均下降，实际电池制作中，考虑到各个因素，

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