N ∵ P∴ VD处于反偏而截止
U?UU∴ AO； 图（c），断开VD1,VD2时
??12VU??12V UP1?UN1 ∵ UP1?0V N1 UP2??15V N2 P2∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止
U??12VU?UN2
UAO?0V；
或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起
∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A点的电位
N2而 P2∴ VD2处于反偏而截止 图（d），断开VD1、VD2，
UAO?0V，
U??15V?U?UA
U?0V UP1?UN1 ∵ UP1??12V N1 UP2??12V N2 ∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V， UO6≈－2V。
题3.2 电路如题图所示，稳压管ＤＺ的稳定电压ＵＺ=8V，限流电阻Ｒ=3k?，设
U??6VUP2?UN2；
uI?15sin?t(V)，试画出uo的波形。
解：
分析：稳压管的工作是利用二极管在反偏电压较高使二极管击穿时，在一定的工作电流限制下，二极管两端的的电压几乎不变。其电压值即为稳压管的稳定电压Uz。而稳压管如果外加正向偏压时，仍处于导通状态。
设稳压管具有理想特性，即反偏电压只有达到稳压电压时，稳压管击穿。
正偏时导通压降为零，则ui?15sin?t(V)
Uz=8V
当ui?Uz时，稳压管击穿而处于稳定状态，uO =Uz；
而0 9 第四、五章 题4.1 测得工作在放大电路中几个半导体三极管三个电极电位U1、U2、U3分别为下列各组数值，试判断它们是ＮＰＮ型还是ＰＮＰ型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 V； ① U1?3.5V，U2?2.8V，U3?12V； ② U1?3V，U2?2.8V，U3?12V； ③ U1?6V，U2?11.3V，U3?12V ④ U1?6V，U2?11.8V，U3?12解： 分析：工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏，集电结反偏的条件。且有PN节正偏特性可知，其正偏结电压不会太大。硅管的UBE?0.5～0.7V，锗管的UBE?0.1～ 0.3V。所以首先找出电位差在0.1～0.3V或0.5～0.7V的两个电极，则其中必定一个为发 射极，一个为基极，另一个电位相差较大的必定为集电极。由PN结反偏特性可知，若集电极电位最高，则该管必定为NPN型三极管；若集电极电位最低，则该管必定为PNP型三极管。若为NPN型三极管，则发射极电位必定为最低电位；若为PNP型三极管，则发射极电位必定为最高电位。由此即可确定发射极。电位值处于中间的一个电极必定为基极。由此可知： U?12V， (1). U1?3.5V, U2?2.8V, 3 结论：硅NPN型三极管（U12?U1?U2?3.5?2.8?0.7V） U?c U1?b， U2?e， 3U?12V， (2). U1?3V, U2?2.8V, 3 结论： 锗NPN型三极管（U12?U1?U2?3?2.8?0.2V） U?c U1?b， U2?e， 3U?12V (3). U1?6V, U2?11.3V， 3 结论：硅PNP型三极管（ U23?U2?U3?11.3?12??0.7V） U?e U1?c， U2?b， 3U?12V (4). U1?6V, U2?11.8V， 3 结论：锗PNP型三极管（ 题4.2 已知题图(a)—(f)中各三极管的?均为50，UBE?0.7V，试分别估算各电路中三极 管的IC和UCE，判断它们各自工作在哪个区(放大区，截止区或饱和区)，并将各管子的工作点分别画在题图 (g)的输出特性曲线上。 U23?U2?U3?11.8?12??0.2V） U?e U1?c， U2?b， 3 10 解： 分析：三极管在发射结正偏时，管子可能工作在放大区或者饱和区，取决于其基极电流是否超过基极临界饱和电流 IBS，若IB?IBS，则三极管工作在饱和区；若IB?IBS，则三 B。 极管工作在放大区，且C若三极管发射结反偏或者零偏，则该三极管一定工作在截止区。 对图（a），发射结正偏，且 I??I2?0.7?0.065mA?65?A20K 10?UCEB10IBS???0.1mA?100?A??2K50?2 I?IBS ∵ BIB?∴ 三极管工作在放大区 且 IC??IB?50?0.065?3.3mA UCE?10?IC?2K?10?3.3?2?3.4V 10?UCES10IBS???0.1mA?100?A??250?2图（b），∵ 10?0.7?0.0465mA?46.5?A200 I?IBS ∵ BIB? 11 ∴ 三极管工作在放大区 且： IC??IB?50?0.0465?2.3mA UCE?10?2.3?2?5.4V 10?UCES10IBS???0.1mA?100?A??250?2图（c），∵ 10?0.7?0.465mA?465?A20 I?IBS ∵ BIB?∴ 三极管工作在饱和区 IC?ICS??IBS?5mA UCE?UCES?0V 图（d），∵发射结反偏，∴三极管处于截止状态 IC?0UCE?VCC?10V 图（e），∵三极管发射结零偏，IB?0 ∴ 三极管处于截止状态 IC?0UCE?VCC?10V 图（f），∵BS, ∴ 三极管工作在放大区 I??IB?10?0.7?0.0465mA?46.5?A200 IC??IB?2.3mA且 UCE?VCC?10V 题4.3 电路如图所示，晶体管导通时的UBE＝0.7V，晶体管的饱和管压降UCES＝0.3V， β=50。试分析：当VBB=0V时，T的工作状态处在 区；当VBB=1V时，T的工作状态处在 区；当VBB=2V时，T的工作状态处在 区。 12