V+RUo6V10V－10VV+RUo6V－

9. 电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，设二极管导通电压可忽略。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。

+5VuI1/V50.30uouI2/V50.30（b）(a)(b)RuI1uI2V2（a）V1tt

10. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：

（1）当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为多少？ （2）当开关S断开时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为多少？

R1+Ui=30V－5kΩSVVR22kΩA1A2

11. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A点的电位。设二极管的正向压降为0.7V。

+10VR1500ΩAR22kΩIDV+6V

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12. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A点的电位。设二极管的正向压降为0.7V。

+10VR13kΩR210kΩIDVR32kΩ

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第二章 半导体三极管

一、单选题

1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。

A. NPN管和PNP管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管 C. N沟道场效应管和P沟道场效应管 D. 三极管和二极管

2. 放大电路如图所示，已知三极管的??50，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定

3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。

A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOS

4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压UCE=0.3V，则此时三极管工作于（状态。

A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定

5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的??50，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定

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） 7. 某三极管的PCM?100mW,ICM?20mA,U(BR)CEO?15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。

A. UCE?3V,IC?10mA B. UCE?2V,IC?40mA C. UCE?6V,IC?20mA D. UCE?20V,IC?2mA

8. 下面的电路符号代表（ ）管。

A. 耗尽型PMOS B. 耗尽型NMOS C. 增强型PMOS D. 增强型NMOS

9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。

A. U(BR)CEO?U(BR)CBO?U(BR)EBO B. U(BR)CBO?U(BR)CEO?U(BR)EBO C. U(BR)CBO?U(BR)EBO?U(BR)CEO D. U(BR)EBO?U(BR)CEO?U(BR)CBO

10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。

A.IE?IB?IC B. IC??IB C. ICBO?(1??)ICEO D. ??????

11. （ ）情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。

A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号

12. 场效应管本质上是一个（ ）。

A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件

二、判断题

1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。 2. IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。

3. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。

4. 三极管工作在放大区时，若iB为常数，则uCE增大时，iC几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。

5. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。

6. 三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C、E两个电极互换使用。 7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

8. 双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。 9. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。

10. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。

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