ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率

作者：胡金勇;黄华茂;王洪;胡晓龙

作者机构：华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心,广东广州510640;华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心,广东广州510640;华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心,广东广州510640;华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心,广东广州510640 来源：发光学报 ISSN：1000-7032 年：2014 卷：035 期：005 页码：613-617 页数：5

中图分类：TN304.2+3 正文语种：chi

关键词：LED;ITO;表面粗化;出光效率

摘要：使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题.本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ITO表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率.输入电流为20mA时,ITO层制备密集分布的三角周期圆孔阵列后,芯片输出光功率提升11.4％,但正向电压升高0.178 v;微结构优化设计后,芯片输出光功率提升8.2％,正向电压仅升高0.044 V.小电流注入时,密集分布的三角周期圆孔阵列有利于获得较高的输出光功率.大电流注入时,这种结构将导致电流拥挤,芯片的电光转化效率衰减严重.经过优化设计后的微结构阵列器件,具有较高的电注入效

率,因此芯片的出光效率较高且随输入电流的增加而衰减的趋势较慢,因此更适合大电流下工作.