1、磷砷化镓发光二极管属于（A） A、选择性辐射体 B、灰体 C、黑体 D、混合辐射体
2当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成为真空中的 自由电子，这种现象称为（B） A、内光电效应 B、外光电效应 C、光磁电效应 D、光子牵引效应
3、发光效率的计量单位为（A） A、流明每瓦 B、无量纲 C、流明 D、瓦特每球面度
4、已知某种光电器件的本征吸收长波限为 1.4um，则该材料的禁带宽度为（A） A、0.886eV B、1eV C、2eV
D、1.3eV
5、当标准钨丝灯为黑体时，试计算它的峰值辐射波长（A） A、1.015um B、2.05um C、3um
D、0.95um
6、电磁波谱中可见光的波长范围为（A） A、0.38~0.78um B、0.38~1um C、1~3um D、8~12um
7、发光强度的单位是（B）
A、流明 B、坎德拉 C、瓦特 D、瓦特每球面度
8、光敏电阻的主要作用是（A） A、光电探测 B、红外探测 C、光电开关 D、光电探测与控制
9、以下选项中哪个不是光敏电阻的主要噪声（D） A、热噪声 B、产生复合噪声 C、低频噪声 D、散粒噪声
10、对于同一种型号的光敏电阻来讲，在不同的光照度和不同环境温度下，其 光电导灵敏度与时间常数（），如果照度相同而温度不同时，二者（B） A、相同，不同 B、不同，不同 C、不同，相同 D、相同，相同
11、本征光电导器件在越微弱的辐射作用下，时间响应越（），灵敏度越（D） A、长，高 B、长，低 C、短，高 D、短，低
12、光敏电阻是（）器件，属于（D） A、光电导器件，外光电效应 B、光电发射器件，外光电效应 C、光生伏特器件，内光电效应
D、光电导器件，内光电效应
13、光生伏特器件在（B ）电路中具有输出功率。 A、开路 B、自偏置
C、零伏偏置 D、反向偏置
14、硅光电池在（D ）偏置时，其光电流与入射辐射能量有良好的线性关系，且 动态范围较大。 A、恒流 B、自偏置 C、零伏偏置 D、反向偏置
15、（ B）的灵敏度最高。 A、光电二极管 B、光敏电阻 C、光电三极管 D、硅光电池
16、(B )是光电二极管的主要噪音 A、低频噪声 B、散粒噪声 C、热噪声 D、复合噪声
17、若要检测脉宽为 100ns 的光脉冲，应选用（ A）为光电变换器件。 A、PIN 型光电二极管 B、3DU 型光电三极管 C、PN 结型光电二极管 D、2CR11 硅光电池
18、以下哪个不是光生伏特器件的特点（C）。 A、响应速度快 B、暗电流小 C、探测微弱辐射
D、受温度影响小
19、PN 结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于（ C）？ A、1GHz B、100MHz C、10MHz D、1MHz
20、硅光电池的主要作用是（ A）。 A、光电探测 B、红外探测 C、光电开关 D、光电探测与开关
21、下面哪个不是光电倍增管的应用实例：（B） A、光子计数器 B、分光光度计 C、发射光谱仪 D、荧光光电分析仪
22、下面说法正确的是：（C）
A、光电倍增管不应在氦气中使用，因为它会加速光电倍增管的疲劳与老化 B、光电倍增管应贮存在黑暗中，使用前最好先接通高压电源，在黑暗中存放几小 C、光电倍增管的输出信号采用运算放大器做电流电压变换，以保证高的转换效率 D、在设计光电倍增管电路时，总是力图使散粒噪声远小于负载电阻的热噪声 （关系反了）课本P86倒数第三段
23、光电倍增管的暗电流在正常情况下，一般为（B） A、10^-20—10^-14A B、10^-16—10^-10A C、10^-10—10^-4A D、10^-4—10^2A
24、光电倍增管在低电压工作时，（A）是暗电流的主要部分。 A、欧姆漏电 B、热发射 C、残余气体放电
D、场致发射
25、光电倍增管的长波限和短波限由什么因素决定？（B） A、光电阴极材料、倍增级材料和窗口材料 B、光电阴极材料和倍增级材料 C、窗口材料和倍增级材料 D、光电阴极材料和窗口材料
26、如下不是降低光电倍增管暗电流的方法的是（B） A、直流补偿
B、选频和锁相缩小 C、冷却光电倍增管 D、增加电磁屏蔽
27、光电倍增管的主要噪声有（A） A、散粒噪声，热噪声 B、散粒噪声，产生复合噪声 C、热噪声，产生复合噪声 D、电流噪声，热噪声
28、某光电倍增管的阳极灵敏度为 10A/lm，为什么还要限制它的阳极输出电流 50~100μ（C）
A、因为阳极电流过大会使测量数据不稳定
B、阳极输出电流在 50~100μA 时，电子流不能被阳极所吸收，达到饱和区 C、因为阳极电流过大会加速光电倍增管的疲劳与老化 D、引起光电倍增管的非线性
29、光电倍增管按倍增级结构可分为（B） A、端窗式和侧窗式 B、聚焦型和非聚焦型 C、百叶窗型和盒栅式
D、瓦片静电聚焦型和圆形鼠笼式
30、下面那个是当原子在 E1E2 两个能级之间产生跃迁时不会产生的过程？ （A） A、自发吸收 B、自发辐射 C、受激辐射
D、受激吸收
31、下面哪个不是光电耦合器件的应用（B） A、电平转换 B、光电检测 C、逻辑门电路 D、隔离方面的应用
32、下面哪个不是产生激光的必要条件？ （D） A、需要泵浦源
B、要有大量的粒子数反转
C、要有一个谐振腔 D、需要负载
33、下面属于冷光源的是：（C） A、太阳 B、白炽灯 C、发光二极管 D、卤钨灯
34、下面哪一项可以作为光电耦合器件的发光件：（D） A、光电三极管 B、光电池 C、光敏电阻 D、半导体激光器
35、下列哪一项不属于线阵 CCD 的结构（D） A、输出大器 B、光栅
C、模拟移位寄存器 D、乘法器
36、我国电视的采用的制视是（A） A、PAL B、NTSC C、SECAM D、VGA
37、CCD 图像传感器的输出方式为是（D） A、电压输出方式 B、电流输出方式
C、经 A/D 转换后的数字输出方式
D、以上都不对
38、下列哪一项不属于 CMOS 图像传感器的结构（A） A、地址码器 B、A/D 转换器 C、图像预处理电路
D、SRAM 存储结构
1、 光照度的单位是勒克斯（lx）。√
2、 半导体对光的吸收仅包括本征吸收和杂质吸收。× 3、 辐射出射度与辐射照度是两个意义相同的物理量。×
4、 光电发射器件的光谱响应范围一般比半导体光电器件宽。× 5、 发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。√
6、 假设将人体作为黑体，正常人体体温为 36.5℃，那么由维恩定律，可以计算出正常人
体的峰值辐射波长为 0.936um。×
7、 光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。× 8、 光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。× 9、 光电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于下降时间。 × 10、 当没有光辐射时，硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线是一样的。√ 11、 光生伏特效应是多数载流子导电的光电效应。×
12、 对于光电二极管，减薄 PN 结的厚度可以使短波长的光谱响应得到提高。√ 13、 硅光电池是一种需要加偏置电压才能把光能转换成电能的 PN 结光电器件。× 14、 越远离 PSD 几何中心位置的光点，其位置检测误差越小。× 15、 以 GaAs 为材料制造出的光生伏特器件目前应用最广泛。× 16、 雪崩光电二极管为具有内增益的一种光生伏特器件。√
17、 影响 PN 结硅光电二极管时间响应的主要因素是 PN 结区外载流子的漂移时间。× 18、 PIN 型光电二极管不仅提高了 PN 结光电二极管的时间响应，还能提高器件的光电灵
敏度。×
19、 光电倍增管的暗电流是指在施加规定电压后测定的阳极电流。×
20、 光电倍增管各倍增极的发射系数δ与很多因素有关，最主要的因素是倍增极的材料结
构。×
21、 根据窗口材料的不同，将直接影响光电倍增管光谱响应的长波限。×
22、 阴极和第一倍增级之间，以及末级倍增级和阳极之间的级间电压应设计得与总电压无
关。×
23、 为使阴极面各处的灵敏度均匀，受光均匀，常把光电倍增管的光电阴极做成半球面。
√
24、 在较强辐射作用下倍增管的灵敏度下降的现象称为衰老。×
25、 电压分压器中流过的电流不应该大于期望的最大阳极电流1000倍，即1mA。√ 26、 由发光二极管和光电三极管构成的光电耦合器件的电流传输比不可能大于1. √ 27、 光电耦合器件既具有耦合特性又具有隔离特性。×
28、 光电耦合器件的发送端与接收端是电、磁绝缘的。×
29、 发光二极管的响应时间取决于注入载流子非发光复合的寿命和发光能级上跃迁的几
率√
30、 发光光谱与器件的几何形状和封装方式有关。×
31、 栅极电压相同的情况下，不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容量
不同，氧化层厚度越薄电荷的存储容量越大√
32、 目前技术范围内，光注入是CCD唯一的电荷注入方式× 33、 P型沟道CCD的工作速度要高于N型沟道CCD × 34、 一般的CMOS图像传感器采用线性-对数输出方式√
35、 三相线阵CCD必须在三相交叠脉冲的作用下才能进行定向转移√