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5.2、下列不属于电容式传感器测量电路的是（ ）
A．调频测量电路 B．运算放大器电路 C．脉冲宽度调制电路 D．相敏检波电路
5.3、如将变面积型电容式传感器接成差动形式，则其灵敏度将（ ）。
A. 保持不变 B.增大一倍 C. 减小一倍 D.增大两倍 5.4、当变隙式电容传感器的两极板极间的初始距离d0增加时，将引起传感器的（ ）
A．灵敏度K0增加 B．灵敏度K0不变 C．非线性误差增加 D．非线性误差减小
5.5、用电容式传感器测量固体或液体物位时，应该选用（ ）。
A．变间隙式 B．变面积式 C．变介电常数式 D．空气介质变间隙式 5.6、关于差动脉冲宽度调制电路的说法正确的是（ ）。
A. 适用于变极板距离和变介质型差动电容传感器 B. 适用于变极板距离差动电容传感器且为线性特性 C. 适用于变极板距离差动电容传感器且为非线性特性 D. 适用于变面积型差动电容传感器且为线性特性 5.7、下列不属于电容式传感器测量电路的是（ ）
A．调频测量电路 B．运算放大器电路 C．脉冲宽度调制电路 D．相敏检波电路
5.8电容式传感器采用“驱动电缆”技术是为了减少或消除（ ）的影响。 A．温度变化 B．寄生电容 C．边缘效应 D．非线性
6、霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（ ）
A．霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B．半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀 C．周围环境温度变化
D．激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配 6．1、下面不属于不等位电势U0产生原因的是（ ）。
A、霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； B、半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀； C、元件由金属或绝缘体构成；
D、激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 6.2、关于霍尔传感器说法不正确的是（ ）
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A、霍尔片越厚，霍尔传感器输出灵敏度越大 B、霍尔片越薄，霍尔传感器输出灵敏度越大 C、霍尔传感器可以作测量元件 D、霍尔传感器可以作开关元件
7、压电晶片的连接方式中串联接法（ ）
A、输出电压大，本身电容小，适宜用于以电压作输出信号 B、输出电荷大，本身电容大， 时间常数大
C、输出电压小，本身电容大，适宜用于以电压作输出信号 D、输出电荷小，本身电容小， 时间常数大
7.1两个型号相同的压电片串联使用时，下列说法正确的是（ ） A、等效输出电荷增大一倍 B、等效输出电容增加一倍 C、等效输出电压增加一倍 D、都不正确
7.2关于压电式传感器中压电元件的连接，以下说法正确的是（ ）
A．与单片相比，并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变 B. 与单片相比，串联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压增大1倍
C．与单片相比，并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍 D. 与单片相比，串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变 7.3 用于厚度测量的压电陶瓷器件利用了 原理。
A.磁阻效应 B. 正压电效应 C.逆压电效应 7.4 下面材料中不是压电材料有（D ）。
A．石英晶体 B．氧化锌 C．铌酸钾晶体 D．有机玻璃
7.5、石英晶体在沿机械轴y方向的力作用下会（ ）
A．产生纵向压电效应 B. 产生横向压电效应 C．不产生压电效应 D. 产生逆向压电效应
7.6、在运算放大器放大倍数很大时，压电传感器输入电路中的电荷放大器的输出电压与（ ）成正比。
A．输入电荷 B.反馈电容 C．电缆电容 D.放大倍数 7.7对石英晶体，下列说法正确的是（ ）。
A. 沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，也没有电荷产生。 B. 沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，但会有电荷产生。 C. 沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，但没有电荷产生。 D. 沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，也会有电荷产生。 7.8、石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是（ ）
A. 压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性也比石英晶体好 B. 压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性不如石英晶体好
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C. 石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好 D. 石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好 7.9、两个压电元件相并联与单片时相比说法正确的是（ ）
A. 并联时输出电压不变，输出电容是单片时的一半 B. 并联时输出电压不变，电荷量增加了2倍
C. 并联时电荷量增加了2倍，输出电容为单片时2倍 D. 并联时电荷量增加了一倍，输出电容为单片时的2倍 7.10、两个压电元件相串联与单片时相比说法正确的是（ ）
A. 串联时输出电压不变，电荷量与单片时相同 B. 串联时输出电压增大一倍，电荷量与单片时相同 C. 串联时电荷量增大一倍，电容量不变
D. 串联时电荷量增大一倍，电容量为单片时的一半
7.11、用于厚度测量的压电陶瓷器件利用了（ ）原理。
A. 磁阻效应 B. 压阻效应 C. 正压电效应 D. 逆压电效应
7.12、压电陶瓷传感器与压电石英晶体传感器的比较是（ ）。
A．前者比后者灵敏度高 B．后者比前者灵敏度高 C．前者比后者性能稳定性好 D．前者机械强度比后者的好 7.13、压电式传感器目前多用于测量（ ）。
A．静态的力或压力 B．动态的力或压力 C．位移 D．温度 7.14、石英晶体在沿机械轴y方向的力作用下会（ ）。
A．产生纵向压电效应 B. 产生横向压电效应 C．不产生压电效应 D. 产生逆向压电效应
7.15、 在运算放大器放大倍数很大时，压电传感器输入电路中的电荷放大器的输出电压
与（ ）成正比。
A．输入电荷 B.反馈电容 C．电缆电容 D.放大倍数 7.16、石英晶体在沿电轴X方向的力作用下会（ ）
A．不产生压电效应 B. 产生逆向压电效应 C. 产生横向压电效应 D．产生纵向压电效应 7.17、关于压电式传感器中压电元件的连接，以下说法正确的是（ ）
A．与单片相比，并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变 B. 与单片相比，串联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压增大1倍
C．与单片相比，并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍 D. 与单片相比，串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变
9．下列光电器件中，基于光电导效应工作的是（ ） A．光电管 B．光敏电阻
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C．光电倍增管 D．光电池 9.1、封装在光电隔离耦合器内部的是（） A．一个发光二极管和一个发光三极管 B．一个光敏二极管和一个光敏三极管 C．两个发光二极管或两个光敏三极管 D．一个发光二极管和一个光敏三极管 9.2、光电二极管工作是需（ ）
A、加正向工作电压 B、加反向工作电压 C、不需加电压 D、正、反电压都可以 9.3、有关光敏电阻的描述，正确的是（ ） A、暗电阻大 B、亮电阻大 C、一样大 D、无法比较
9.4、基于外光电效应的光电器件有（ ）
A、光电倍增管 B、光电池 C、光敏电阻 D、发光二极管 9.5、利用内光电效应原理制成的光电元件是（D ）。 A．光电管 B．光电倍增管 C．光电池 D．光敏电阻
9.6、下列器件中是基于外光电效应制成的是 。
A 光敏电阻 B 光电池 C 光电倍增管 D 光敏晶体管 9.7光敏电阻的特性是（ ）
A．有光照时亮电阻很大 B．无光照时暗电阻很小
C．无光照时暗电流很大 D．受一定波长范围的光照时亮电流很大 9.8、基于光生伏特效应工作的光电器件是（ ）
A．光电管 B.光敏电阻 C．光电池 D.光电倍增管
10．不能实现非接触式测量的传感器是 。
A 压电式 B 电涡流式 C 光电式 D 光纤式
二、 填空题 1、运算L??Lmaxymax?ymin?100%是计算传感器 的公式。
2、要使直流电桥平衡，必须使电桥相对臂电阻值的 相等。 3、量程是指传感器在__________内的上限值与下限值之差。
4、相对误差是指测量的___________与被测量量真值的比值，通常用百分数表示。 5、传感器静态特性指标主要有 、 、 、 等。 6、半导体应变片在应力作用下电阻率发生变化，这种现象称为___________效应。
7、电阻应变片一般由____________、 、覆盖层、引线 四个部分组成，其中_________ 是核心部件。
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